| 主权项 |
1.一种蚀刻方法,包括:提供一种材料层,其主要由一组成份所组成,选自包括氧化铟(InO)、氧化锡(SnO),铟及锡氧化物之混合物,一种含有铟、锡以及氧且通式为InxSnyOz之化合物,其中z实质上大于零但小于100%,且x+y之合占100%之其余部份,以及前述组合成份中多种之混合物;供应一种包括含卤素化合物与含氧化合物之反应性气体至该材料层附近;而且施加一电场使供应之反应性气体与材料层反应,以形成反应性气体以及材料层之挥发性副产物。2.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中供应之反应性气体包含溴化氢(HBr)。3.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中供应之反应性气体包含碘化氢(HI)。4.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中供应之反应性气体包含氯化氢(HC1)。5.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中供应之反应性气体包含O2。6.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中供应之反应性气体包含H2O。7.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中供应之反应性气体包含溴化氢(HBr)以及O2。8.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中供应之反应性气体包含溴化氢(HBr)以及H2O。9.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中供应之反应性气体包含碘化氢(HI)以及O2。10.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中供应之反应性气体包含碘化氢(HI)以及H2O。11.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中供应之反应性气体包含氯化氢(HC1)以及O2。12.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中供应之反应性气体包含氯化氢(HC1)以及H2O。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中含氧化合物之相对量系经选择,以提供该材料层相对于支撑该材料层之基板层之更具选择性蚀刻。14.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其更包括:提供一种位于材料层上之光罩层,此光罩层具有一或多个经过该光罩层所界定之开孔,以使该材料层相应之一或多个表面部份曝露至反应性气体之产物以及外加电场。15.根据申请专利范围第1项之蚀刻方法,其更包括:提供一个基板,位于材料层下方;测定此蚀刻程序何时蚀穿材料层到达基板;并且在测出蚀刻程序已蚀穿材料层至基板时或大约此时间,即停止此蚀刻程序。图式简单说明:第一图为根据本发明完成一种蚀刻制程之反应性离子蚀刻(RIE)系统之截面图。 |
