| 主权项 |
1.一种半导体组件,其具有至少一层由氧化钨(3')所构成之层,其特征为:此氧化钨层(3')之相对介电常数()大于50。2.如申请专利范围第1项之半导体组件,其中该氧化钨层(3')用作记忆体-、闸极-、隧道-或STI-衬垫-介电质。3.如申请专利范围第1或第2项之半导体组件,其中该氧化钨层(3')之相对介电常数()大于 100,特别是大于150。4.如申请专利范围第1或第2项之半导体组件,其中该半导体组件具有至少一个由含钨之层(3)和一个氧化钨层(3')所构成之层堆叠。5.如申请专利范围第1或第2项之半导体组件,其中该半导体组件具有至少一个由氧化钨层(3')和至少一个位障层(2)所构成之层堆叠。6.如申请专利范围第4项之半导体组件,其中该含钨很多之层(3)是由钨、矽化钨或氮化钨所构成。7.如申请专利范围第5项之半导体组件,其中该位障层(2)是由氧化矽、氮化矽、氧氮化物、氮化钨或氮化钛所构成。8.一种半导体组件之制造方法,该半导体组件具有氧化钨层,此制造方法之特征是以下各步骤:(a)制备一种含有钨之层,(b)此含有钨之层是在含氧之大气中进行热氧化,以便产生一种由氧化钨(WOX)所构成之层,其相对介电常数()大于50。9.一种半导体组件之制造方法,该半导体组件具有氧化钨层,此制造方法之特征是以下各步骤:(a)制备一种含有钨之层,(b)此含钨之层是在含氧之大气中进行热氧化,(c)此种由氧化钨所构成之层在550至1100℃之间的温度(较佳是在700至1100℃)时受到一种热处理,以便产生一种由氧化钨(WOX)所构成之层,其相对介电常数()大于50。10.如申请专利范围第8或第9项之方法,其中使用一种由钨、矽化钨或氮化钨所构成之层作为该含钨之层。11.如申请专利范围第8或第9项之方法,其中该含钨之层是以CVD方法或PVD方法制成。12.如申请专利范围第8或第9项之方法,其中该含钨之层在温度500至1200℃时进行热氧化。13.如申请专利范围第8或第9项之方法,其中在热氧化之后此种由氧化钨(WOX)所构成之层在温度550至1100℃(较佳是在700至1100℃)时受到一种热处理。14.如申请专利范围第 9项之方法,其中热处理是在钝性之大气中进行。15.如申请专利范围第13项之方法,其中热处理是在钝性之大气中进行。16.一种半导体组件之制造方法,该半导体组件具有氧化钨层,此制造方法之特征是以下各步骤:(a)制备此种半导体组件之表面;(b)氟化钨和水以气体形式之状态而被传送至该表面上,以便产生一种由氧化钨(WOX)所构成之层。17.如申请专利范围第16项之方法,其中此种由氧化钨(WOX)所构成之层在温度介于550至1100℃(较佳是在700至1100℃)时受到一种热处理。18.如申请专利范围第17项之方法,其中热处理是在一种钝性之大气中进行。19.一种已结构化之氧化钨层之制造方法,其特征是以下各步骤:(a)制备一种氧化钨层,(b)在此氧化钨层上施加一种遮罩,(c)此氧化钨层在氧化用之大气中在温度大于130℃时对应于遮罩以乾燥方式而被蚀刻,其中该氧化用之大气具有至少一种卤素化合物(特别是CF4)。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该氧化钨层是依据申请专利范围第8至18项中任一项之方法而产生。21.如申请专利范围第19或20项之方法,其中该遮罩是一种多晶矽遮罩。22.如申请专利范围第19或20项之方法,其中该蚀刻温度是介于200℃和300℃之间,特别是大约250℃。23.如申请专利范围第19项之方法,其中该氧化用之大气中之卤素化合物成份是在1至10%之间。图式简单说明:第1至4图本发明之方法之实施形式之图解。第5至6图本发明之方法的另一实施形式之图解。第7图矽基板1上由导电性氮化钨层2,氧化钨层3'和导电性氮化钨层4所构成之层堆叠。 |
