| 主权项 |
1.一种液晶显示器薄膜电晶体之金属电极接触结构,该薄膜电晶体之结构包括在一基板上供作闸极电极的第一金属层,其上依序形成的闸极绝缘层、本质及掺杂半导体层,以及供作源/汲极电极的第二金属层,该接触结构包括:一金属氧化物导电膜形成于该第二金属层上;一保护层覆盖该薄膜电晶结构上方;一接触窗穿过该保护层到达该金属氧化物导电膜;以及一铟锡氧化物导电层形成于该保护层上方,并填充至该接触窗内,与该金属氧化物导电膜电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之接触结构,其中该金属氧化物导电膜系选自铟锡氧化物、氧化锌及类似者。3.一种具有低接触电阻値之液晶显示器薄膜电晶体,包括:一基板;一闸极电极金属层形成于该基板上;一闸极绝缘层覆盖该闸极电极金属层及基板;一堆叠的本质及掺杂半导体层形成于该闸极绝缘层上;一源/汲极电极金属层形成于该掺杂半导体层上,并延伸至该闸极绝缘层上;一金属氧化物导电膜形成于该源/汲极电极金属层上;一保护层覆盖该薄膜电晶结构上方;一接触窗穿过该保护层到达该金属氧化物导电膜;以及一铟锡氧化物导电层形成于该保护层上方,并填充至该接触窗内,与该金属氧化物导电膜电性连接。4.如申请专利范围第3项所述之薄膜电晶体,其中该金属氧化物导电膜系选自铟锡氧化物、氧化锌及类似者。5.一种液晶显示器薄膜电晶体之制造方法,包括下列步骤:形成闸极金属层在一透明基板上;形成一闸极绝缘层覆盖该闸极金属层及基板;形成本质半导体层及掺杂半导体堆叠在对应该闸极金属层的该闸极绝缘层上方;形成源/汲极金属层在该掺杂半导体层上方,并延伸至该闸极绝缘层上;形成金属氧化物导电膜在该源/汲极金属层上;定义及蚀刻该源/汲金属属及金属氧化物导电膜;蚀刻该掺杂半导体层;沉积保护层覆盖该金属氧化物导电膜及闸极绝缘层上方;蚀刻该保护层形成接触窗到达该金属氧化物导电膜;以及沉积铟锡氧化物导电层于该保护层上方,并填充至该接触窗内,与该金属氧化物导电膜电性连接。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该金属氧化物导电膜系选自铟锡氧化物、氧化锌及类似者。图式简单说明:第一图系习知之五道光罩薄膜电晶体的结构示意图;第二图系本发明一个实施例的结构示意图;及第三图系制造第二图装置的一个实施例的过程示意图,(A)图系制作薄膜电晶体至沉积源/汲极金属层的步骤,(B)图系沉积金属氧化物导电膜至蚀刻掺杂半导体层的步骤,(C)图系完成沉积绝缘保护层及蚀刻接触窗的步骤。 |
