发明名称 微机电结构(MEMS)切换之步阶可变电容器及其制造方法
摘要 本发明与一种由复数个MEMS开关所调节的步阶微机电结构(MEMS)电容器有关。MEMS开关可能是在步阶电容器电路当中,或者它们可能由一独立的电路调节。步阶电容器也可能藉由在步阶MEMS电容器结构中提供至少一可变电容器依中间步阶电容变动。
申请公布号 TW575887 申请公布日期 2004.02.11
申请号 TW090129301 申请日期 2001.11.27
申请人 英特尔公司 发明人 马津;郑平;华路利 劳
分类号 H01G5/04 主分类号 H01G5/04
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种微机电(MEMS)电容器,包含:在一电路中并联排列的复数个MEMS电容器;与一第一MEMS电容器串联的一第一开关,其中该第一开关有一第一电压闭合临限値;和与一第二MEMS电容器串联的一第二开关,其中该第二开关有比该第一电压闭合临限値更高的一第二电压闭合临限値。2.如申请专利范围第1项之MEMS电容器,其中至少一开关包含至少一MEMS开关。3.如申请专利范围第1项之MEMS电容器,其中至少一开关包含至少一平行金属板开关。4.如申请专利范围第1项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片。5.如申请专利范围第1项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个线性地步进的电容。6.如申请专利范围第1项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个线性地步进的电容,且其中具有一可动的电荷金属片之复数个电容器中之至少一个配置成达到复数个中间步进电容。7.如申请专利范围第1项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个几何步进的电容。8.如申请专利范围第1项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个几何步进的电容,且其中具有一可动的电荷金属片之复数个电容器中之至少一个配置成达到复数个中间步进电容。9.如申请专利范围第1项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个指数步进的电容。10.如申请专利范围第1项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个指数步进的电容,且其中具有一可动的电荷金属片之复数个电容器中之至少一个配置成达到复数个中间步进电容。11.一种微机电(MEMS)电容器,包含:在一第一电路中并联排列的复数个MEMS电容器;和至少一开关,在该第一电路中与复数个MEMS电容器之至少一个串联排列,其中至少一开关的每一个是从一第二电路调节以建立第一电路的一电容値。12.如申请专利范围第11项之MEMS电容器,其中至少一开关包含至少一MEMS开关。13.如申请专利范围第11项之MEMS电容器,其中至少一开关包含至少一平行金属板开关。14.如申请专利范围第11项之MEMS电容器,其中该至少一开关进一步包含:与一第一MEMS电容器串联的一第一开关,其中该第一开关有一第一电压闭合临限値;和与一第二MEMS电容器串联的一第二开关,其中该第二开关有比该第一电压闭合临限値更高的一第二电压闭合临限値。15.如申请专利范围第11项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片。16.如申请专利范围第11项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个线性地步进的电容。17.如申请专利范围第11项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个线性地步进的电容,且其中具有一可动的电荷金属片之复数个电容器中之至少一个配置成达到复数个中间步进电容。18.如申请专利范围第11项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个几何步进的电容。19.如申请专利范围第11项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个几何步进的电容,且其中具有一可动的电荷金属片之复数个电容器中之至少一个配置成达到复数个中间步进电容。20.如申请专利范围第11项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个指数步进的电容。21.如申请专利范围第11项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个指数步进的电容,且其中具有一可动的电荷金属片之复数个电容器中之至少一个配置成达到复数个中间步进电容。22.一种微机电(MEMS)电容器,包含:在一第一电路中并联排列的复数个MEMS电容器;和至少一开关,在该第一电路中与复数个MEMS电容器之至少一个串联排列,其中至少一开关的每一个是从一各别独立的电路调节以建立第一电路的一电容値。23.如申请专利范围第22项之MEMS电容器,其中至少一开关包含至少一MEMS开关。24.如申请专利范围第22项之MEMS电容器,其中至少一开关包含至少一平行金属板开关。25.如申请专利范围第22项之MEMS电容器,其中该至少一开关进一步包含:在一独立的电路中之至少二个开关,包含至少一第一开关和一第二开关,其中该第一开关有一第一电压闭合临限値,且该第二开关有比该第一电压闭合临限値更高的一第二电压闭合临限値。26.如申请专利范围第22项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片。27.如申请专利范围第22项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个线性地步进的电容。28.如申请专利范围第22项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个线性地步进的电容,且其中具有一可动的电荷金属片之复数个电容器中之至少一个配置成达到复数个中间步进电容。29.如申请专利范围第22项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个几何步进的电容。30.如申请专利范围第22项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个几何步进的电容,且其中具有一可动的电荷金属片之复数个电容器中之至少一个配置成达到复数个中间步进电容。31.如申请专利范围第22项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个指数步进的电容。32.如申请专利范围第22项之MEMS电容器,其中复数个电容器中之至少一个有一可动的电荷金属片,其中复数个电容器配置成达到复数个指数步进的电容,且其中具有一可动的电荷金属片之复数个电容器中之至少一个配置成达到复数个中间步进电容。图式简单说明:图1是举例说明基本元件的电路之一概要图;图2a是依照本发明一具体实施例的MEMS电容器之正视断面图;图2b是依照本发明一具体实施例的MEMS电容器之正视断面图;图3a是依照本发明的MEMS开关之正视断面图;图3b是依照本发明的MEMS开关之正视断面图;图4是举例说明一独创的步进电容器之电路片段的概要图;图5是步进电容作为跨过开关电路之电压的函数之绘图;图6是依照本发明一具体实施例的步进和可变MEMS电容器之概要图;图7是依照本发明一具体实施例的步进和可变MEMS电容器之概要图;图8是依照本发明一具体实施例的步进和可变MEMS电容器之概要图;图9是依照本发明的可变电容器之正视断面图;图10是举例说明一MEMS装置的相关弯曲之可变电容器的放大正视断面图;图11是图9中所描述可变电容器的顶端透视图;图12是可变电容器另一具体实施例的正视断面图;图13是图9中所描述可变电容器的其它可能具体实施例之顶视图;图14是图9中所描述可变电容器的其它可能具体实施例之顶视图;图15是图9中所描述可变电容器的其它可能具体实施例之顶视图;图16是可变电容器另一具体实施例的正视断面图;图17是图16中所描述可变电容器的其它可能具体实施例之正视断面图;图18是可变电容器另一具体实施例的正视断面图;图19是图18中所描述可变电容器的其它可能具体实施例之正视断面图;和图20是举例说明独创的方法之程序流程图。
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