从单晶矽晶圆上去除结晶时所产生之颗粒的方法

摘要

本发明揭露一种从单晶矽晶圆表面上去除结晶时所产生之颗粒(crystaloriginatedparticles，以下简称COPs)的方法，根据此方法可利用快速热制程将COPs移除，使得一般制程所产生的问题得以解决，包括在高温炉中热处理晶圆一段长时间所产生的问题，此外，由于快速热制程是在二种气氛下执行，所以比一般方法更能将离晶圆表面较远的COPs部分移除，再者，由于第二快速热制程是在氧化气氛下进行，所以在晶圆表面上所产生的氧化膜可防止雾面现象的发生。