| 主权项 |
1.一种场发射显示器,至少包含:一阴极;一阳极,与上述之阴极相距一距离;复数个场发射元件,介于该阳极与该阴极间,用以激发电子;及一保护结构,位于该阳极与该阴极间,用以吸引带正电离子。2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中上述之保护结构至少包含一还原板及一偏压源,该偏压源电性连接于该至少一还原板,以提供一负电压予该至少一还原板。3.如申请专利范围第2项所述之场发射显示器,其中上述之至少一还原板至少包含复数个长型的还原板,且彼此间平行配置。4.如申请专利范围第2项所述之场发射显示器,其中上述之复数个场发射元件至少包含复数个奈米碳管。5.如申请专利范围第4项所述之场发射显示器,其中上述之至少一还原板至少包含复数个加长型且彼此间平行配置之还原板。6.如申请专利范围第3项所述之场发射显示器,其中上述之场发射元件配置成多条列状且与该至少一还原板平行配置。7.如申请专利范围第6项所述之场发射显示器,其中上述之场发射元件至少包含复数个奈米碳管。8.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中上述之保护结构为网状结构。9.如申请专利范围第8项所述之场发射显示器,其中上述之保护结构至少包含一具网状结构之还原板。10.如申请专利范围第8项所述之场发射显示器,其中上述之复数个场发射元件至少包含复数个奈米碳管。11.如申请专利范围第10项所述之场发射显示器,其中上述之保护结构至少包含一具网状结构之还原板。12.一种场发射显示器,至少包含:一阴极板,具有复数个加长型之条状阴极;一阳极,与该阴极板相距一距离;复数个场发射元件,形成于每一该条状阴极上以激发电子;及一保护结构,位于该阴极板上用以吸引带正电离子。13.如申请专利范围第12项所述之场发射显示器,其中上述之保护结构至少包含复数个加长型且平行于该条状阴极之还原板、及一偏压源,电性连接于该还原板。14.如申请专利范围第13项所述之场发射显示器,其中上述之保护结构定义为一网状结构。15.如申请专利范围第12项所述之场发射显示器,其中上述之复数个场发射元件至少包含复数个奈米碳管。16.一制造制造场发射显示器之保护结构之方法,至少包含下列步骤:提供一阴极板;及,制造复数个条状阴极及至少一还原板于该阴极板上。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之制造复数个条状阴极及至少一还原板于该阴极板上至少包含在该阴极板上同时蚀刻该复数个条状阴极及该至少一还原板。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之制造复数个条状阴极及至少一还原板形成于该阴极板上,至少包含在该阴极板上蚀刻该复数个条状阴极、提供一绝缘层在该复数个条状阴极上及制造至少一还原板于该绝缘层上。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中上述之制造该至少一还原板于该绝缘层上至少包含沈积一金属层于该绝缘层上且蚀刻该金属层以定义该至少一还原板。图式简单说明:图1A 系常见之场发射显示器之阴极及场发射元件结构示意图;图1B 系常见之场发射显示器完整截面示意图;图1C 系常见之场发射显示器完整截面示意图,途中描述了装置中电子撞击阳极上之导电层过程;图2A 系常见之场发射显示器架构图,说明了装置中氧气及氮器被激发自场发射元件中之电子离子化过程;图2B 系为一常见场发射显示器架构图,说明了上述图2A装置中氧气离子及氮气离子往阴极之放电路径;图3 系为本发明之场发射显示器架构图,说明了带正电之氧离子及氮离子往带负电之还原板或电极移动之过程;图4 系为本发明之一具体实施例之场发射显示器局部架构透视图,说明了装置中加长型且平行位于场发射元件间的还原板或电极;及图5 系为本发明之另一具体实施例之场发射显示器局部架构透视图,说明了装置中复数个还原板或电极排列以网状结构或是类似网状结构于场发射元件间。 |
