逻辑嵌入式记忆体积集电路

摘要

本发明系揭露一半导体元件以及建构此半导体元件之制造方法。在本发明的一个实施例之中，半导体元件包括基材、至少一个形成于基材上之逻辑元件、至少一个形成于基材上之记忆元件。逻辑元件包括一个高介电常数之闸介电层，同时记忆元件包括一个非高介电常数之介电层。