发明名称 SILICON CARBIDE COMPOSITE AND PROCESS FOR PRODUCTION
摘要 Composites de carbure de silicium frittes contenant des cristaux de diamant. Ils sont fabriques par le procede suivant qui consiste a: (a) former une premiere dispersion de cristaux de diamant et de noir de carbone dans de la paraffine; (b) former une seconde dispersion de fibres de carbone, de noir de carbone et d'un materiau de remplissage dans de la paraffine; (c) compacter les dispersions ensemble pour produire un produit composite a deux couches solidaires; (d) mettre le produit composite sous vide pendant une periode de temps et a une temperature suffisantes pour vaporiser sensiblement toute la paraffine; (e) chauffer le silicium pour provoquer la liquefaction et l'infiltration directes dans les deux couches du composites; et (f) fritter le produit composite contenant du silicium dans des conditions suffisantes pour produire un liant de carbure de silicium (Beta) liant le composite. Les composites obtenus sont particulierement utiles comme materiaux de coupage et/ou composants anti-usure, faisant preuve d'une resistance extreme a l'usure.
申请公布号 WO8200140(A1) 申请公布日期 1982.01.21
申请号 WO1981US00849 申请日期 1981.06.23
申请人 GENERAL ELECTRIC CO 发明人 OHNO J
分类号 B32B9/00;B01J3/06;B24D3/06;C04B35/573;C09K3/14;(IPC1-7):04B31/16;09C1/68 主分类号 B32B9/00
代理机构 代理人
主权项
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