| 发明名称 | 栅极导电体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种栅极导电体的制造方法，此方法包括在真空环境中沉积导电材料于半导体基板上，以形成包括钨的导电材料层于半导体基板上。此方法亦包括在真空环境中沉积包括钛的阻障材料层于导电材料层上。本发明亦提供了一种栅极导电体。本发明提供的栅极导电体及其制造方法，可在不增加工艺复杂度及生产成本的前提下，有效地改善或避免因发丝状(柱状)的钨突出部所导致的缺陷，进而有助于存储器装置的微小化及提升产品良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106257621A | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201510335363.5 | 申请日期 | 2015.06.17 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 倪志荣;王天佑;赖树伟 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 郭晓宇 |
| 主权项 | 一种栅极导电体的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体基板；形成一导电材料层于所述半导体基板上，其中形成所述导电材料层包括在一真空环境中沉积一导电材料于所述半导体基板上，其中所述导电材料包括钨；以及形成一阻障材料层于所述导电材料层上，其中形成所述阻障材料层包括在所述真空环境中沉积一阻障材料于所述导电材料层上，其中所述阻障材料包括钛。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市 | ||