发明名称 |
图案化方法 |
摘要 |
一种图案化方法,包括:在基材上形成一硬光掩膜层;在硬光掩膜层上形成一定向自组装(directed self-assembly;DSA)材料层;在定向自组装材料层上形成一纳米压印层;以具有一压印形成表面的一模板压印纳米压印层,以于纳米压印层上形成一压印区域及一非压印区域;于非压印区域上形成一改质层;提供一能量,使定向自组装材料层中的高分子材料产生自组聚合排列,以形成多个改质区域;移除改质层、纳米压印层、并选择性移除定向自组装材料层中部分的改质区域,以形成一第一图案;以及将第一图案转移至硬光掩膜层,以形成一图案化的硬光掩膜层。以此,不需要依赖光刻技术即可达到图形定义与微缩目的的新的图案化方法。 |
申请公布号 |
CN106252208A |
申请公布日期 |
2016.12.21 |
申请号 |
CN201510321445.4 |
申请日期 |
2015.06.12 |
申请人 |
华邦电子股份有限公司 |
发明人 |
许宗正;刘丞祥 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
贾磊 |
主权项 |
一种图案化方法,其特征在于,所述方法包括:在基材上形成一硬光掩膜层;在所述硬光掩膜层上形成一定向自组装材料层;在所述定向自组装材料层上形成一纳米压印层;以具有一压印形成表面的一模板压印所述纳米压印层,以于所述纳米压印层上形成一压印区域及一非压印区域;于所述非压印区域上形成一改质层;提供一能量,使所述定向自组装材料层中的高分子材料产生自组聚合排列,以形成多个改质区域;移除所述改质层、所述纳米压印层、并选择性移除所述定向自组装材料层中部分的所述改质区域,以形成一第一图案;以及将所述第一图案转移至所述硬光掩膜层,以形成一图案化的硬光掩膜层。 |
地址 |
中国台湾台中市 |