发明名称 Quantum Dot of Indium-Gallium Metal Nitride and a Colloidal Dispersion having the Same
摘要 본 발명은 하기 화학식 1로 표현되는 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점 및 이를 포함하는 콜로이드 분산액에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 신규의 금속전구체 및 질소원을 이용하여 제조된, 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점, 및 이를 포함하는 콜로이드 분산액에 관한 것이다. 본 발명에 따른 금속 질화물의 양자점의 경우, 독성이 없어 환경 친화적이면서도 우수한 발광 특성 및 높은 안정성을 갖는 광 활성층으로 사용될 수 있으며, 분산성이 매우 우수해 이를 포함하는 콜로이드 분산액 형태로 사용할 수 있어, 종래의 고온 증착 공정이 없이도 경제적이고 간단한 잉크 공정에 의해 기판 상에 코팅될 수 있고, 이러한 특성 덕분에 내열성이 낮은 유연 기판 상에도 코팅이 용이한바, 양자점의 사용편의성을 현저히 높일 수 있다. [화학식 1] InGaN (상기 화학식 1에서, x는 0≤x≤1의 범위를 갖는다.)
申请公布号 KR20160141257(A) 申请公布日期 2016.12.08
申请号 KR20150076290 申请日期 2015.05.29
申请人 울산과학기술원 发明人 박종남;서요한
分类号 C09K11/04;C09K11/02;C09K11/08;C09K11/62 主分类号 C09K11/04
代理机构 代理人
主权项
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