| 主权项 |
1.一种光罩图案之制作方法,其特征在于:其系于资 料上制作光罩图案者,且具备: 对储存于第1单元库内之多数单元图案之各个进行 制程近接效应修正,藉此准备储存多数修正单元图 案之第2单元库之工序; 将上述多数修正单元图案之一的第1修正单元图案 及第2修正单元图案以各自之边缘相互接触、或接 近、或重叠之方式排列配置之工序; 抽出上述第1修正单元图案与上述第2修正单元图 案之边界附近的边界部图案之工序;及 对上述边界部图案进行制程近接效应修正之工序 。 2.如请求项1之光罩图案之制作方法,其中 准备上述第2单元库之工序具备: 于上述单元图案之外侧配置虚设图案,藉此制作临 时单元图案之工序; 对上述临时单元图案进行制程近接效应修正,藉此 制作修正临时单元图案之工序;及 从上述修正临时单元图案去除上述虚设图案之工 序。 3.如请求项2之光罩图案之制作方法,其中 制作上述临时单元图案之工序包含在上述单元图 案外侧的上述单元图案之附近,配置上述虚设图案 之工序。 4.如请求项3之光罩图案之制作方法,其中 上述单元图案之附近系上述虚设图案的制程近接 效应达到上述单元图案具有之图案的范围。 5.如请求项2之光罩图案之制作方法,其中 上述虚设图案具有沿着上述单元图案之边缘延伸 的直线形状。 6.如请求项5之光罩图案之制作方法,其中 上述虚设图案与上述单元图案内之最外侧的图案 之间的距离,系使用于上述单元图案之最小图案宽 度的2倍以下。 7.如请求项1之光罩图案之制作方法,其中 准备上述第2单元库之工序包含: 藉由在制程近接效应达到上述单元图案外侧的上 述单元图案具有之图案的范围配置多数虚设图案, 制作临时单元图案之工序; 对上述临时单元图案进行制程近接效应修正,藉此 制作修正临时单元图案之工序;及 从上述修正临时单元图案去除上述多数虚设图案 之工序。 8.如请求项7之光罩图案之制作方法,其中 上述多数虚设图案具有沿着上述单元图案之边缘, 各自离开第1距离而延伸的直线形状; 上述虚设图案之宽度及上述第1距离为使用于上述 单元图案的最小图案宽度的2倍以下。 9.如请求项8之光罩图案之制作方法,其中 和上述单元图案最接近的上述虚设图案与上述单 元图案内之最外侧的图案之间的距离为使用于上 述单元图案之最小图案宽度的2倍以下。 10.一种半导体装置之制造方法,其特征在于更具备 : 使用由请求项1至9之光罩图案之制作方法所制作 之光罩图案,制作光罩之工序;及 使用上述光罩,使形成于半导体装置的制造途中之 半导体基板上的被加工膜曝光之工序。 11.一种光罩图案之制作系统,其特征在于:其系于 资料上制作光罩图案者,且具备: 图案选择部,其选择包含于储存在第1单元库内的 多数单元图案之一个选择单元图案; 虚设图案生成部,其藉由在上述选择单元图案外侧 配置虚设图案,制作临时单元图案; 第1制程近接效应修正部,其藉由对上述临时单元 图案进行制程近接效应修正,制作修正临时单元图 案; 图案去除部,其藉由从上述修正临时单元图案去除 上述虚设图案,制作修正单元图案; 配置配线部,其从储存多数上述修正单元图案的第 2单元库,将包含于上述多数修正单元图案的第1修 正单元图案及第2修正单元图案以各自之边缘相互 接触、或重叠之方式排列配置; 边界抽出部,其抽出上述第1修正单元图案与上述 第2修正单元图案之边界附近的边界部图案;及 第2制程近接效应修正部,其对上述边界部图案进 行制程近接效应修正。 12.一种单元库,其特征在于, 其系具有多数单元图案之资料者,且 上述单元图案具备对应转印于光罩之形状之图案, 实施制程近接效应修正之多数修正图案; 上述修正图案具有与考虑暂时放置在上述单元图 案外侧的虚设图案之影响的制程近接效应修正结 果相对应之形状。 13.一种光罩之制造方法,其使用由请求项1至9之光 罩图案之制作方法所制作之光罩图案。 图式简单说明: 图1表示实施了PPC处理的单元图案之单元库之制作 方法的流程图。 图2表示单元图案之一例之图。 图3表示修正单元图案之一例之图。 图4表示本发明第1实施形态之光罩之制造方法的 流程图。 图5表示第2实施形态之光罩图案数据制作装置之 图。 图6表示第2实施形态之单元库之制作方法的流程 图。 图7表示在单元图案加进了虚设图案之临时单元图 案之一例之图。 图8表示对临时单元图案实施PPC处理之修正临时单 元图案之一例之图。 图9表示预测曝光被处理膜时的图案形状之结果之 图。 图10表示预测未进行边界部修正时的曝光被处理 膜时的图案形状之结果之图。 图11表示逻辑装置的配置设计后之流程的流程图 。 |
