发明名称 |
CdTe薄膜太阳电池的背接触结构、其制备方法与CdTe薄膜太阳电池 |
摘要 |
本发明提供了一种CdTe薄膜太阳电池的背接触结构,包括依次叠加设置的第一过渡金属氧化物薄膜、第二CdTe薄膜、Cu金属薄膜和金属背电极。本申请通过在两层CdTe薄膜之间设置过渡金属氧化物薄膜,以阻挡Cu原子向CdTe层及CdS/CdTe异质结区的扩散,在保证低阻接触的情况下提高了太阳电池的稳定性;本申请还提供了所述CdTe薄膜太阳电池的背接触结构的制备方法以及包括所述CdTe薄膜太阳电池背接触结构的太阳电池。 |
申请公布号 |
CN105576049B |
申请公布日期 |
2017.05.03 |
申请号 |
CN201511030285.4 |
申请日期 |
2015.12.30 |
申请人 |
中国科学技术大学 |
发明人 |
王德亮;李珣;沈凯 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0725(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
赵青朵 |
主权项 |
一种CdTe薄膜太阳电池的背接触结构,包括:第一过渡金属氧化物薄膜;设置于所述第一过渡金属氧化物薄膜上的第二CdTe薄膜;设置于所述第二CdTe薄膜上的Cu金属薄膜;设置于所述Cu金属薄膜上的金属背电极;所述第一过渡金属氧化物薄膜位于第一CdTe薄膜上。 |
地址 |
230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号 |