一种半导体器件及其制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成若干相互间隔的鳍片以及覆盖所述鳍片底部的隔离材料层，其中，所述鳍片的表面形成有衬垫层；步骤S2：在所述隔离材料层以及露出的所述衬垫层上依次形成第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层；步骤S3：对所述隔离材料层上的水平方向上的所述第二蚀刻停止层和所述第一蚀刻停止层进行离子注入，以改变所述隔离材料层上的所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层的蚀刻速率；步骤S4：去除所述衬垫层上的所述第二蚀刻停止层；步骤S5：去除露出的所述第一蚀刻停止层和所述衬垫层，同时去除剩余的所述第二蚀刻停止层。

主权项

一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成若干相互间隔的鳍片以及覆盖所述鳍片底部的隔离材料层，其中，所述鳍片的表面形成有衬垫层；步骤S2：在所述隔离材料层以及露出的所述衬垫层上依次形成第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层，以覆盖所述隔离材料层和所述衬垫层；步骤S3：对所述隔离材料层上的水平方向上的所述第二蚀刻停止层和所述第一蚀刻停止层进行离子注入，以使所述隔离材料层上的所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层的蚀刻速率与所述衬垫层上的所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层的蚀刻速率不同；步骤S4：去除所述衬垫层上的所述第二蚀刻停止层，以露出所述第一蚀刻停止层；步骤S5：去除露出的所述第一蚀刻停止层和所述衬垫层，以露出所述鳍片，同时去除剩余的所述第二蚀刻停止层，以露出所述隔离材料层上的所述第一蚀刻停止层。