发明名称 |
以其他方式用于填充单元、抽头单元、解耦电容器单元、刻线和/或虚设填充的区域中的IC测试结构和/或E‑波束目标焊盘的伺机放置,以及包含相同结构的产品IC芯片 |
摘要 |
产品IC/晶片包括伺机放置于填充单元位置中、抽头单元内、解耦电容器(decap)单元内、刻线区域内和/或虚设填充区域内的附加诊断、测试或监视结构。改进的制造过程将来自(诸)此类结构的数据用于晶片布置决定、重做决定、过程控制、生产学或故障诊断。 |
申请公布号 |
CN106575649A |
申请公布日期 |
2017.04.19 |
申请号 |
CN201580043425.3 |
申请日期 |
2015.06.12 |
申请人 |
普迪飞半导体技术有限公司 |
发明人 |
I·德;D·J·齐普利克卡斯;S·莱姆;J·黑格;V·V·罗夫纳;C·黑斯;T·W·布罗泽克;A·J·斯特罗瓦斯;K·董;J·K·基巴里安;S·F·李;K·W·迈克尔斯;M·A·斯特罗瓦斯;C·奥沙利文;M·贾殷 |
分类号 |
H01L23/58(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/58(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
袁逸 |
主权项 |
一种IC制造过程,包括至少以下步骤:使得产品IC晶片经历初始制造步骤;在不持续扫描的情况下通过从与每个测试结构相关联的e‑波束焊盘选择性地采样少于10个像素来从多个测试结构获得e‑波束激励测量;以及至少部分基于从所述测试结构获得的测量,选择性地使得所述晶片经历附加制造步骤。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |