发明名称 |
基于纳米盘阵列结构的光学超材料吸收器 |
摘要 |
一种基于纳米盘阵列结构的光学超材料吸收器,包括玻璃衬底,其特征是在玻璃衬底上依次沉积氮化钛薄膜、氧化铟锡薄膜和阵列的盘状氮化钛纳米盘,所述的氮化钛薄膜的厚度t3的取值范围不小于200nm,氧化铟锡薄膜的厚度t2的取值范围为45nm‑55nm,氮化钛nm盘的厚度t1的取值范围为40nm‑60nm,所述的氮化钛纳米盘的中心间距P的取值范围为450nm‑550nm,纳米盘的直径d的取值范围为240nm‑320nm。本发明超材料吸收器具有吸收效率高,结构简单等优点,在550nm到650nm的波段范围的平均吸收率大于95%。可以应用于生物传感器,探测器和光伏器件等。 |
申请公布号 |
CN106572624A |
申请公布日期 |
2017.04.19 |
申请号 |
CN201610979423.1 |
申请日期 |
2016.11.04 |
申请人 |
中国科学院上海光学精密机械研究所 |
发明人 |
王建国;朱美萍;孙建;易葵;邵建达 |
分类号 |
H05K9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H05K9/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
张泽纯;张宁展 |
主权项 |
一种基于纳米盘阵列结构的光学超材料吸收器,包括玻璃衬底,其特征是在玻璃衬底上依次沉积氮化钛薄膜、氧化铟锡薄膜和阵列的盘状氮化钛纳米盘,所述的氮化钛薄膜的厚度t3的取值范围为不小于200nm,氧化铟锡薄膜的厚度t2的取值范围为45nm‑55nm,氮化钛nm盘的厚度t1的取值范围为40nm‑60nm,所述的氮化钛纳米盘的中心间距P的取值范围为450nm‑550nm,纳米盘的直径d的取值范围为240nm‑320nm。 |
地址 |
201800 上海市嘉定区上海市800-211邮政信箱 |