制备吡唑的方法

摘要

本发明涉及一种用于制备式V的吡唑化合物的方法，所述方法包括使式IV的腙取代的α,β‑不饱和羰基化合物通过使其与合适的试剂如还原剂、有机金属试剂或亲核试剂反应而环化。式V化合物是用于制备吡唑衍生的精细化学品的通用反应工具。本发明还涉及式Va、Vb、Vc和VI的吡唑化合物。

主权项

一种用于制备式V的吡唑化合物或其盐、立体异构体、互变异构体或N‑氧化物的方法所述方法包括以下步骤：使式IV的腙取代的α,β‑不饱和羰基化合物通过使其与包含R⁶基团的试剂反应而环化，其中R¹选自H、卤素、CN、NO₂、C₁‑C₁₀烷基、C₂‑C₁₀链烯基、C₂‑C₁₀炔基，其中C原子未被取代，可以部分或完全地被卤化或者可以被1、2或3个相同或不同的取代基R^x取代；OR^a、SR^a、C(Y)OR^c、S(O)_mR^d、S(O)_mY¹R^d、NR^eR^f、C(Y)NR^gR^h、杂环基、杂芳基、C₃‑C₁₀环烷基、C₃‑C₁₀环烯基和芳基，其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个选自基团R^y和R^x的相同或不同的取代基取代；R²选自H、C₁‑C₁₀烷基、C₂‑C₁₀链烯基、C₂‑C₁₀炔基，其中C原子可以未被取代，可以部分或完全地被卤化或者可以被1、2或3个相同或不同的取代基R^x取代；C(Y)OR^c、C(Y)NR^gR^h、杂环基、杂芳基、C₃‑C₁₀环烷基、C₃‑C₁₀环烯基和芳基，其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个选自基团R^y和R^x的相同或不同的取代基取代；并且R³选自H、卤素、CN、NO₂、C₁‑C₁₀烷基、C₂‑C₁₀链烯基、C₂‑C₁₀炔基，其中C原子可以未被取代，可以部分或完全地被卤化或者可以被1、2或3个相同或不同的取代基R^x取代；OR^a、SR^a、C(Y)OR^c、S(O)_mR^d、S(O)_mY¹R^d、NR^eR^f、C(Y)NR^gR^h、杂环基、杂芳基、C₃‑C₁₀环烷基、C₃‑C₁₀环烯基和芳基，其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个选自基团R^y和R^x的相同或不同的取代基取代；并且其中R⁴和R⁵彼此独立地选自H、NO₂、C₁‑C₁₀烷基、C₂‑C₁₀链烯基、C₂‑C₁₀炔基，其中C原子可以未被取代，可以部分或完全地被卤化或者可以被1、2或3个相同或不同的取代基R^x取代；C₁‑C₁₀卤代烷基、C₁‑C₄烷氧基‑C₁‑C₁₀烷基，其中C原子可以未被取代或者部分或完全地被相同或不同的取代基R^y取代；C(Y)OR^c、C(Y)NR^gR^h、C(Y)NRⁱNR^eR^f、C₁‑C₅亚烷基‑OR^a、C₁‑C₅亚烷基‑CN、C₁‑C₅亚烷基‑C(Y)OR^c、C₁‑C₅亚烷基‑NR^eR^f、C₁‑C₅亚烷基‑C(Y)NR^gR^h、C₁‑C₅亚烷基‑S(O)_mR^d、C₁‑C₅亚烷基‑S(O)_mNR^eR^f、C₁‑C₅亚烷基‑NRⁱNR^eR^f，杂环基、C₃‑C₁₀环烷基、C₃‑C₁₀环烯基、杂芳基、芳基、杂环基‑C₁‑C₅烷基、C₃‑C₁₀环烷基‑C₁‑C₅烷基、C₃‑C₁₀环烯基‑C₁‑C₅烷基、杂芳基‑C₁‑C₅烷基、芳基‑C₁‑C₅烷基，其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个相同或不同的取代基R^y取代；基团D‑E，其中D是直接键、C₁‑C₆亚烷基、C₂‑C₆亚烯基或C₂‑C₆亚炔基，其碳链可以部分或完全地被Rⁿ取代，并且E是非芳族的3‑12元碳环或杂环，其可以包含1、2、3或4个选自N‑R^l、O和S的杂原子，其中S可以被氧化，所述碳环或杂环可以部分或完全地被Rⁿ取代；以及基团A‑SO_m‑G，其中A是C₁‑C₆亚烷基、C₂‑C₆亚烯基和C₂‑C₆亚炔基，其中C原子可以未被取代或者部分或完全地被R^p取代，并且G是C₁‑C₄卤代烷基或可被卤化的C₃‑C₆环烷基；或者R⁴和R⁵与它们所连接的碳原子一起形成3‑12元非芳族碳环或杂环，所述杂环可以包含1、2、3、4或5个选自N‑R^l、O和S的杂原子，其中S可以被氧化，并且所述碳环或杂环可以部分或完全地被R^j取代；并且其中R⁶选自H、CN、C₁‑C₆氟烷基、C₁‑C₆烷基、C₂‑C₆链烯基、C₂‑C₆炔基、C₃‑C₆环烷基、C₃‑C₆环烷基‑C₁‑C₂烷基、C₃‑C₆环烯基、C₃‑C₆环烯基‑C₁‑C₂烷基、杂环基、杂环基‑C₁‑C₂烷基、芳基、芳基‑C₁‑C₂烷基、杂芳基、杂芳基‑C₁‑C₂烷基，其中碳链或环状结构部分可以未被取代，部分或完全地被相同或不同的取代基R^x取代；OR^a、SR^a、NR^eR^f，和通式(i)的基团并且其中R^a、R^b彼此独立地选自H、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₃‑C₆环烷基、C₃‑C₆环烷基甲基、C₃‑C₆卤代环烷基、C₃‑C₆环烯基、C₃‑C₆环烯基甲基、C₃‑C₆卤代环烯基、C₂‑C₄链烯基、C₂‑C₄卤代链烯基、C₂‑C₄炔基、C₁‑C₄烷氧基‑C₁‑C₄烷基、杂环基、杂环基‑C₁‑C₄烷基、芳基、杂芳基、芳基‑C₁‑C₄烷基和杂芳基‑C₁‑C₄烷基，其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH₂、NO₂、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷氧基和C₁‑C₄卤代烷氧基的取代基取代；R^c选自H、C₁‑C₁₀烷基、C₁‑C₁₀卤代烷基、C₃‑C₁₀环烷基、C₃‑C₁₀环烷基甲基、C₃‑C₁₀卤代环烷基、C₃‑C₆环烯基、C₃‑C₆环烯基甲基、C₃‑C₆卤代环烯基、C₂‑C₁₀链烯基、C₂‑C₁₀卤代链烯基、C₂‑C₄炔基、C₁‑C₄烷氧基‑C₁‑C₄烷基、杂环基、杂环基‑C₁‑C₄烷基、芳基、杂芳基、芳基‑C₁‑C₄烷基和杂芳基‑C₁‑C₄烷基，其中在后提到的6个基团中的环可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH₂、NO₂、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷氧基和C₁‑C₄卤代烷氧基的取代基取代；或者R^c与C(Y)O基团一起形成盐[C(Y)O]^‑NR₄⁺、[C(Y)O]^‑M_a⁺或[C(Y)O]^‑1/2M_ea²⁺，其中M_a是碱金属，M_ea是碱土金属，并且其中在氮原子上的取代基R彼此独立地选自H、C₁‑C₁₀烷基、苯基和苯基‑C₁‑C₄烷基；R^d选自C₁‑C₄烷氧基、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₃‑C₆环烷基、C₃‑C₆环烷基甲基、C₃‑C₆卤代环烷基、C₃‑C₆环烯基、C₃‑C₆环烯基甲基、C₃‑C₆卤代环烯基、C₂‑C₄链烯基、C₂‑C₄卤代链烯基、C₂‑C₄炔基、C₁‑C₄烷氧基‑C₁‑C₄烷基、杂环基、杂环基‑C₁‑C₄烷基、芳基、杂芳基、芳基‑C₁‑C₄烷基和杂芳基‑C₁‑C₄烷基，其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH₂、NO₂、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷氧基和C₁‑C₄卤代烷氧基的取代基取代；R^e、R^f彼此独立地选自H、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₃‑C₆环烷基、C₃‑C₆环烷基甲基、C₃‑C₆卤代环烷基、C₃‑C₆环烯基、C₃‑C₆环烯基甲基、C₃‑C₆卤代环烯基、C₂‑C₄链烯基、C₂‑C₄卤代链烯基、C₂‑C₄炔基、C₁‑C₄烷氧基‑C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄烷基羰基、C₁‑C₄卤代烷基羰基、C₁‑C₄烷基磺酰基、C₁‑C₄卤代烷基磺酰基、杂环基、杂环基‑C₁‑C₄烷基、杂环基羰基、杂环基‑C₁‑C₄磺酰基、芳基、芳基羰基、芳基磺酰基、杂芳基、杂芳基羰基、杂芳基磺酰基、芳基‑C₁‑C₄烷基和杂芳基‑C₁‑C₄烷基，其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH₂、NO₂、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷氧基和C₁‑C₄卤代烷氧基的取代基取代；或者R^e和R^f与它们所键合的N原子一起形成5或6元饱和或不饱和的杂环，其可以被选自O、S和N的另外的杂原子作为环成员原子取代，并且其中所述杂环可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH₂、NO₂、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷氧基和C₁‑C₄卤代烷氧基的取代基取代；R^g、R^h彼此独立地选自H、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₃‑C₆环烷基、C₃‑C₆卤代环烷基、C₃‑C₆环烯基、C₃‑C₆卤代环烯基、C₂‑C₄链烯基、C₂‑C₄卤代链烯基、C₂‑C₄炔基、C₁‑C₄烷氧基‑C₁‑C₄烷基、杂环基、杂环基‑C₁‑C₄烷基、芳基、杂芳基、芳基‑C₁‑C₄烷基和杂芳基‑C₁‑C₄烷基，其中环状结构部分可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH₂、NO₂、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷氧基和C₁‑C₄卤代烷氧基的取代基取代；Rⁱ选自H、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₃‑C₆环烷基、C₃‑C₆环烷基甲基、C₃‑C₆卤代环烷基、C₃‑C₆环烯基、C₃‑C₆环烯基甲基、C₃‑C₆卤代环烯基、C₂‑C₄链烯基、C₂‑C₄卤代链烯基、C₂‑C₄炔基、C₁‑C₄烷氧基‑C₁‑C₄烷基、芳基和芳基‑C₁‑C₄烷基，其中芳基环可以未被取代或者可以被1、2、3、4或5个彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH₂、NO₂、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷氧基和C₁‑C₄卤代烷氧基的取代基取代；R^j是卤素，OH，CN，C(O)NH₂，NO₂，C₁‑C₁₀烷基，C₁‑C₁₀卤代烷基，C₁‑C₁₀烷氧基，C₁‑C₁₀卤代烷氧基，苄氧基，S(O)_mR^k，C₃‑C₆环烷基,或3‑6元杂环，其可以包含1或2个选自N‑R^l、O和S的杂原子，其中S可以被氧化，所述R^j基团未被取代或者部分或完全地被R^m取代，并且其中两个连接到相同或相邻环原子的基团R^j可以一起形成3‑6元碳环或杂环，所述杂环可以包含1或2个选自N‑R^l、O和S的杂原子，其中S可以被氧化，所述环可以部分或完全地被R^m基团取代；R^k是H、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基或C₃‑C₆环烷基，所述环可以部分或完全地被R^l取代；R^l是H、卤素、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷基羰基或C₁‑C₄烷氧基羰基；R^m是卤素、OH、CN、C(O)NH₂、NO₂、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₃‑C₆环烷基、C₁‑C₄烷氧基、C₁‑C₄卤代烷氧基或S(O)_mR^k；Rⁿ是卤素、CN、C(Y)OR^c、C(O)NH₂、NO₂、C₁‑C₂烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₂‑C₆链烯基、C₂‑C₆炔基、C₃‑C₆环烷基、C₃‑C₆环烯基、C₁‑C₄烷氧基、C₁‑C₄卤代烷氧基、C₁‑C₄烷氧基‑C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄亚烷基或S(O)_mR^o，两个相邻基团Rⁿ可以与它们所键合的原子一起形成3‑8元碳环或杂环，其可以包含1、2、3或4个选自N‑R^l、O和S的杂原子，其中S可以被氧化，所述Rⁿ环状结构部分可以被卤素、R^o或R^l取代；R^o是H、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₃‑C₆环烷基或C₁‑C₄烷氧基；R^p是卤素、CN、C(O)NH₂、NO₂、C₁‑C₂烷基、C₁‑C₂卤代烷基、C₃‑C₆环烷基、C₁‑C₄烷氧基或C₁‑C₂卤代烷氧基，或者两个基团R^p可以一起形成3‑6元碳环或杂环，所述杂环包含1或2个选自N‑R^l、O和S的杂原子，其中S可被氧化，所述碳环或杂环未被取代或者部分或完全地被基团R^q取代；R^q是卤素、CN、C(O)NH₂、NO₂、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₃‑C₆环烷基、C₁‑C₄烷氧基或C₁‑C₄卤代烷氧基；R^r和R^s彼此独立地选自R^b、OR^c1和NR^gR^h；R^c1是C₁‑C₁₀烷基、C₁‑C₁₀卤代烷基、C₃‑C₁₀环烷基、C₃‑C₁₀环烷基甲基、C₃‑C₁₀卤代环烷基、C₃‑C₆环烯基、C₃‑C₆环烯基甲基、C₃‑C₆卤代环烯基、C₂‑C₁₀链烯基、C₂‑C₁₀卤代链烯基、C₂‑C₄炔基、C₁‑C₄烷氧基‑C₁‑C₄烷基、杂环基、杂环基‑C₁‑C₄烷基、芳基、杂芳基、芳基‑C₁‑C₄烷基或杂芳基‑C₁‑C₄烷基，其中在后提到的6个基团中的环可以未被取代或者可以被1、2、3、4个或彼此独立地选自卤素、CN、C(O)NH₂、NO₂、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷氧基或C₁‑C₄卤代烷氧基的取代基取代；R^t是H或R^a；R^x是卤素、CN、C(Y)OR^c、C(Y)NR^gR^h、NO₂、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷氧基、C₁‑C₄卤代烷氧基、S(O)_mR^d、S(O)_mNR^gR^h、C₁‑C₅亚烷基‑NHC(O)OR^c、C₁‑C₁₀烷基羰基、C₁‑C₄卤代烷基羰基、C₁‑C₄烷氧基羰基、C₁‑C₄卤代烷氧基羰基、C₃‑C₆环烷基、5‑7元杂环基、5或6元杂芳基、芳基、C₃‑C₆环烷氧基、3‑6元杂环氧基或芳氧基，其中环状结构部分可以未被取代或者可被1、2、3、4或5个基团R^y取代；并且R^y选自卤素、CN、C(Y)OR^c、C(Y)NR^gR^h、NO₂、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷氧基、C₁‑C₄卤代烷氧基、苄氧基甲基、S(O)_mR^d、S(O)_mNR^eR^f、C₁‑C₄烷基羰基、C₁‑C₄卤代烷基羰基、C₁‑C₄烷氧基羰基、C₁‑C₄卤代烷氧基羰基、C₃‑C₆环烷基、C₃‑C₆卤代环烷基、C₂‑C₄链烯基、C₂‑C₄卤代链烯基、C₂‑C₄炔基和C₁‑C₄烷氧基‑C₁‑C₄烷基；并且其中Y是O或S；Y¹是O、S或N‑R^1a；R^1a是H、C₁‑C₁₀烷基、C₃‑C₁₂环烷基、芳基或杂芳基；并且m是0、1或2。