| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括具有顶面的衬底。半导体电路在衬底的顶面上定义了电路区域。互连与所述电路区域间隔开且从顶面延伸到衬底中。所述互连包括由电绝缘材料所形成的侧壁。在所述侧壁中提供开口。 | ||
| 申请公布号 | CN103456714B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201310208648.3 | 申请日期 | 2013.05.30 |
| 申请人 | 英特尔德国有限责任公司 | 发明人 | H-J.巴特 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 谢攀;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，其具有顶面；半导体电路，其在衬底的顶面上定义了电路区域；以及互连，与所述电路区域间隔开且从顶面延伸到衬底中，所述互连包括由第一电绝缘材料所形成的第一侧壁；所述互连还包括由第二电绝缘材料所形成的第二侧壁以及其中第二侧壁被布置在第一侧壁之外；以及由导电材料所形成的第三侧壁，第三侧壁被布置在第一侧壁之内；其中在所述第一侧壁内形成开口并且开口在第三侧壁的外表面和第二侧壁的内表面之间横向地延伸。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝格 | ||