掩模及其形成方法

摘要

本发明公开了掩模及其形成方法，其中掩模可应用于光刻以制造半导体晶片。掩模包括低热膨胀材料（LTEM）基板、位于LTEM基板上方的反射多层（ML）以及位于反射ML上方的图案化吸收层。图案化吸收层包括范围在25nm和31nm之间的厚度、范围在0.84和0.93之间的折射率以及范围在0.038和0.051之间的消光系数。

主权项

一种远紫外线掩模底版，包括：低热膨胀材料基板；位于所述低热膨胀材料基板上方的反射多层；以及位于所述反射多层上方的吸收层，所述吸收层包括范围在25nm至31nm之间的厚度、范围在0.84至0.93之间的折射率和范围在0.038至0.051之间的消光系数，其中，来自由所述反射多层构成的反射区域的反射光相对于来自由所述吸收层构成的吸收区域的反射光产生约180度的相移，并且所述反射区域和所述吸收区域的宽度相同。