用于形成半导体图像传感器器件和结构的方法

摘要

本公开涉及用于形成半导体图像传感器器件和结构的方法。在一个实施例中，本发明提供了一种形成背侧照明图像传感器的方法，所述方法包括提供具有第一主表面和被配置为接收入射光的第二主表面的半导体材料区域。像素结构被形成于邻接所述第一主表面的所述半导体材料区域内。之后，形成包括金属材料的沟槽结构，所述沟槽结构延伸穿过所述半导体材料区域。所述沟槽结构的第一表面邻接所述半导体材料区域的所述第一主表面以及邻接所述半导体材料区域的所述第二主表面的第二表面。第一接触结构电连接到所述导电沟槽结构的一个表面并且第二接触结构电连接到相背对的第二表面。

主权项

一种用于形成图像传感器器件的方法，所述方法包括：提供包括第一主表面和相背对的第二主表面的半导体衬底，其中所述半导体衬底还包括邻接所述第一主表面设置的第一介电区域和邻接所述第一介电区域设置的第一半导体区域；在所述第一半导体区域内形成多个掺杂区域；在所述第一半导体区域上并且邻接所述多个掺杂区域的至少部分形成多个导电结构，其中所述多个掺杂区域和所述多个导电结构被配置为像素结构；之后形成延伸穿过所述第一半导体区域到达所述第一介电区域的沟槽；在所述沟槽内提供导电材料，其中所述导电材料与所述第一半导体区域电隔离，并且其中所述导电材料包括金属，并且其中所述沟槽和所述导电材料被配置为导电沟槽结构；形成覆于所述第一半导体区域上的绝缘互连结构，其中所述绝缘互连结构电耦接至所述沟槽中的所述导电材料；移除所述半导体衬底，并且留下所述第一介电区域的与所述第一半导体区域相邻的位置的至少一部分；以及形成在所述第一介电区域上并且电耦接到所述沟槽中的所述导电材料的第一电极。