发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法

摘要

一种发光二极管芯片、一种发光二极管封装结构以及其形成方法被提供。该发光二极管芯片包含一结合层，该结合层具有多个空隙，或是该结合层与该发光二极管芯片之一外围边界的最小水平距离为大于0。该发光二极管芯片、该发光二极管封装结构以及其形成方法可改善产品产率及加强发光效率。

主权项

一种形成发光二极管的方法，包含：提供一基板具有一第一半导体层，一发光层及一第二半导体层依序形成于其上；对该第一半导体层、该发光层、及该第二半导体层进行一图形化制程，定义出多个突出区以及多个凹陷区，其中第一半导体层的一余留区覆盖在该凹陷区的基板上；形成多个第一电极于该凹陷区的该第一半导体层；形成多个第二电极于该突出区的该第二半导体层；沿一切割线切割位于该凹陷区的该基板及位于该凹陷区的第一电极，以分离多个发光二极管芯片，其中该发光二极管芯片具有一结合层及一余留基板部分，其中该结合层具有多个空隙，或是该结合层与该发光二极管芯片的外围边界的最小水平距离为大于0；结合该发光二极管芯片与一载体基板经由该结合层；形成一包覆层于该载体基板之上以围绕该发光二极管；移除该余留基板部分以形成一空腔；以及填入一波长转换层于该空腔。