| 摘要 |
本発明の接合方法では、ステップＳ３の予備加熱処理は、金属または金属酸化物の微粒子からなる導電性ペーストを介在させた半導体チップおよびフレームに対して予備加熱処理を行う。この予備加熱処理によって、当該接着剤からなる接合層と半導体チップおよびフレームとの界面でのボイドがなくなる。このステップＳ３の予備加熱処理の後で、ステップＳ４のプラズマ処理は、減圧下で半導体チップおよびフレームに対してプラズマ照射を断続的に行ってプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によって、当該接着剤からなる接合層内に存在する空隙が均一になる。ステップＳ４の予備加熱処理およびステップＳ５のプラズマ処理により接合層と被処理物との界面でのボイドがなくなるので接合能力が高くなる。また、プラズマ照射を断続的に行うので、プラズマ処理での処理温度を抑えることができる。 |
