制备具有择优取向生长结构的电镀铜层的方法及其应用

摘要

本发明公开了一种制备具有择优取向生长结构的电镀铜层的方法，属于半导体晶圆级封装领域。本发明的具有择优取向生长结构的铜层包括晶圆基底、粘附层、铜籽晶层和电镀铜层，所述电镀铜层具有Z轴择优取向生长结构。本发明利用传统的直流电镀技术采用非染料系整平剂在晶圆基底上制备具有Z轴择优取向生长结构的电镀铜层，所述电镀铜层在X轴和Z轴方向上的腐蚀反应速率不同，硬度不同，拉伸强度不同。

主权项

一种制备具有择优取向生长结构的电镀铜层的方法，采用直流电镀的工艺，其特征在于：电镀液的组成为硫酸铜120～200g/L，硫酸50～150g/L，润湿剂100～1000ppm，光亮剂5～50ppm，非染料系整平剂40～100ppm，其余为水；电镀阳极板采用磷铜板，所述磷铜板中P元素含量为0.03～150wt.%；电流密度为1～18A/dm²；电镀过程中采用机械搅拌的方式保证镀液中浓度均匀一致并增加传质。