发明名称 半導体装置
摘要 【課題】リカバリー時間が短い半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1電極と第2電極との間に設けられた第1導電形の第1半導体領域と、第1半導体領域と第2電極との間に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、第2電極に電気的に接続され、第2電極から第1電極に向かう第1方向において、第2電極から第1半導体領域に達し、第1方向に交差する第2方向に並ぶ複数の第1接続領域と、複数の第1接続領域のいずれかと、第2半導体領域および前記第1半導体領域と、の間に設けられた第1絶縁膜と、第2方向において隣り合う第1接続領域の間に設けられ、第2電極に電気的に接続され、第1方向において、第2電極から第1半導体領域に達するか、または、第2半導体領域中に達する第2接続領域と、を備える。【選択図】図1
申请公布号 JP2017055079(A) 申请公布日期 2017.03.16
申请号 JP20150180041 申请日期 2015.09.11
申请人 株式会社東芝 发明人 小倉 常雄;末代 知子
分类号 H01L29/861;H01L21/329;H01L27/04;H01L29/12;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/49;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868;H01L29/872 主分类号 H01L29/861
代理机构 代理人
主权项
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