微米阵列LED制备方法

摘要

一种微米阵列LED制备方法，包括：步骤1：准备LED芯片并对其进行清洗。步骤2：将清洗好的芯片放入聚焦离子束切割设备中的样品台。步骤3：利用FIB中的扫描电镜功能观察芯片并把样品台移动到离子束的工作距离和位置。步骤4:先利用小束流离子束观察芯片，选取芯片的刻蚀区域。步骤5：将离子束束流切换到大束流观察芯片，在所选取的芯片刻蚀区域绘制周期性实心方格阵列，利用离子束对所绘制阵列图案区域进行刻蚀。步骤6：离子束刻蚀所选区域完毕后，可重复步骤4、5再次选取刻蚀区域进行刻蚀。步骤7：在整个芯片刻蚀完毕后，关闭离子束源，取出芯片。步骤8：对刻蚀芯片采用轻微湿法腐蚀去除离子束刻蚀对InGaN/GaN量子阱造成的辐照损伤，完成制备。

主权项

一种微米阵列LED制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：准备LED芯片并对其进行清洗；步骤2：将清洗好的LED芯片放入聚焦离子束切割设备中的样品台；步骤3：利用聚焦离子束切割设备中的扫描电镜功能观察芯片并把样品台移动到离子束的工作距离和位置；步骤4: 先利用小束流离子束观察芯片，并把芯片调整到合适的位置，选取芯片的刻蚀区域；步骤5：将离子束束流切换到大束流观察芯片，在所选取的芯片刻蚀区域绘制一定大小，深度，间隔的周期性实心方格阵列，利用离子束对所绘制阵列图案区域进行刻蚀；步骤6：离子束刻蚀所选区域完毕后，可重复步骤4、5再次选取刻蚀区域进行刻蚀；步骤7：在整个芯片刻蚀完毕后，关闭离子束源，取出芯片；步骤8：对刻蚀芯片采用轻微湿法腐蚀去除离子束刻蚀对InGaN/GaN量子阱造成的辐照损伤，完成制备。