| 摘要 |
歪特性及び飽和特性の良好な並列共振回路を低消費電力で実現する。そのため、第１の電源電圧（Ｖｄｄ１）に接続された並列共振回路（２０）にて、可変抵抗部（ＶＲ）は１つのブランチ又は複数のブランチの並列接続からなり、各ブランチは抵抗（Ｒ１，Ｒ２，…，Ｒｎ）とＭＯＳスイッチ（ＳＷ１，ＳＷ２，…，ＳＷｎ）との直列回路を有する（ｎは１以上の整数）。当該ＭＯＳスイッチの各々のゲートに与えられる制御信号の電源を供給し、かつ当該ＭＯＳスイッチの各々にバックゲート電圧を供給する第２の電源の電源電圧（Ｖｄｄ２）を、第１の電源電圧（Ｖｄｄ１）よりも高くする。 |
