发明名称 |
一种半导体激光器端面解理方法 |
摘要 |
本发明提出了一种半导体激光器端面解理方法,包括:将待解理的半导体激光器外延结构置于水玻璃解理环境中,水玻璃解理环境包括水玻璃容器和水玻璃;半导体激光器外延结构具有多组划裂痕,通过划裂痕进行解理操作,形成发光端面;将解理后的半导体激光器外延结构脱离水玻璃解理环境,发光端面附着有水玻璃;对发光端面进行烘烤,形成钝化层;对发光端面进行镀膜,形成出光端面,解理完毕。本发明的使用成本低,有效提高器件COD水平进而获得高的激光输出效率,操作方便,成品率高,有利于推广使用。 |
申请公布号 |
CN104124610B |
申请公布日期 |
2017.03.01 |
申请号 |
CN201410340357.4 |
申请日期 |
2014.07.16 |
申请人 |
闫静 |
发明人 |
廉鹏 |
分类号 |
H01S5/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 |
代理人 |
郑自群 |
主权项 |
一种半导体激光器端面解理方法,其特征在于,包括:1)将待解理的半导体激光器外延结构(2)置于水玻璃解理环境(4)中,所述水玻璃解理环境(4)包括水玻璃容器和水玻璃(5);待解理的所述半导体激光器外延结构(2)浸于所述水玻璃(5)中;2)所述半导体激光器外延结构(2)具有多组划裂痕(3),通过所述划裂痕(3)进行解理操作,形成发光端面;3)将解理后的所述半导体激光器外延结构(2)脱离所述水玻璃解理环境(4),所述发光端面附着有所述水玻璃(5);4)对所述发光端面进行烘烤,形成钝化层(6);5)对所述发光端面进行镀膜,形成出光端面,解理完毕。 |
地址 |
100000 北京市大兴区亦庄荣华中街15号内3号 |