发明名称 一种半导体激光器端面解理方法
摘要 本发明提出了一种半导体激光器端面解理方法,包括:将待解理的半导体激光器外延结构置于水玻璃解理环境中,水玻璃解理环境包括水玻璃容器和水玻璃;半导体激光器外延结构具有多组划裂痕,通过划裂痕进行解理操作,形成发光端面;将解理后的半导体激光器外延结构脱离水玻璃解理环境,发光端面附着有水玻璃;对发光端面进行烘烤,形成钝化层;对发光端面进行镀膜,形成出光端面,解理完毕。本发明的使用成本低,有效提高器件COD水平进而获得高的激光输出效率,操作方便,成品率高,有利于推广使用。
申请公布号 CN104124610B 申请公布日期 2017.03.01
申请号 CN201410340357.4 申请日期 2014.07.16
申请人 闫静 发明人 廉鹏
分类号 H01S5/10(2006.01)I 主分类号 H01S5/10(2006.01)I
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人 郑自群
主权项 一种半导体激光器端面解理方法,其特征在于,包括:1)将待解理的半导体激光器外延结构(2)置于水玻璃解理环境(4)中,所述水玻璃解理环境(4)包括水玻璃容器和水玻璃(5);待解理的所述半导体激光器外延结构(2)浸于所述水玻璃(5)中;2)所述半导体激光器外延结构(2)具有多组划裂痕(3),通过所述划裂痕(3)进行解理操作,形成发光端面;3)将解理后的所述半导体激光器外延结构(2)脱离所述水玻璃解理环境(4),所述发光端面附着有所述水玻璃(5);4)对所述发光端面进行烘烤,形成钝化层(6);5)对所述发光端面进行镀膜,形成出光端面,解理完毕。
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