一种发光二极管芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上形成n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层；在p型Ⅲ族氮化物半导体层上形成第一光学反射层；在第一光学反射层上形成n型电极和p型电极；对衬底、n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、第一光学反射层进行切割，得到若干独立的芯片单元，芯片单元均包括两个n型电极和两个p型电极；将若干芯片单元中的n型电极和p型电极固定在支撑材料上，各个芯片单元的间距大于0；在衬底上、以及芯片单元的侧壁上形成第二光学反射层；将各个芯片单元分成相互独立的两个发光二极管芯片。本发明可以满足背光源的出光要求。

主权项

一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上依次形成n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层；在所述p型Ⅲ族氮化物半导体层上形成第一光学反射层；在所述第一光学反射层上形成与所述n型Ⅲ族氮化物半导体层电连接的n型电极、以及与所述p型Ⅲ族氮化物半导体层电连接的p型电极；对所述衬底、所述n型Ⅲ族氮化物半导体层、所述有源层、所述p型Ⅲ族氮化物半导体层、所述第一光学反射层进行切割，得到若干独立的芯片单元，所述芯片单元均包括两个所述n型电极和两个所述p型电极；将若干所述芯片单元中的所述n型电极和所述p型电极固定在支撑材料上，各个所述芯片单元的间距大于0；在所述衬底上、以及所述芯片单元的侧壁上形成第二光学反射层；将各个所述芯片单元分成相互独立的两个发光二极管芯片。