一种聚酰胺石英晶体芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种聚酰胺石英晶体芯片的制备方法，包括首先使用有机溶剂结合紫外灯照射对金基片进行预处理，超纯水清洗且氮气吹干，备用；接着将所得干净金基片浸入2‑氨基乙硫醇胺化溶液中进行胺化，获得胺化的金基片，备用；然后通过多周期离心旋涂将均苯三甲酰氯、间苯二胺聚合反应溶液依次涂覆于胺化的金基片表面；之后将其置于恒温环境中热处理，即获得聚酰胺石英晶体芯片；最后采用物化方法，实现金基片的循环使用。该方法在金基片表面均匀结合纳米级厚度的聚酰胺功能层，获得了聚酰胺石英晶体芯片，操作简单，实用性强，可广泛用于聚酰胺纳滤膜污染的表面吸附行为和机理的解析中。

主权项

一种聚酰胺石英晶体芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)金基片预处理：将金基片依次浸渍于三氯三氟乙烷、丙酮和乙醇中并超声处理，然后超纯水漂洗且流动氮气干燥，最后将金基片置于紫外灯下照射，待用；2)胺化金基片表面：将步骤1)所得的干净金基片浸入2‑氨基乙硫醇胺化溶液中，取出后依次用乙醇和Isopar‑G进行冲洗，去除表面多余的2‑氨基乙硫醇，氮气吹干，即获得胺化的金基片，待用；3)聚酰胺生成：将步骤2)所得胺化的金基片安装于设有加热板的离心旋转平台上，然后通过两次分段离心旋转、同时控制胺化的金基片表面的温度方式，先将均苯三甲酰氯聚合反应溶液涂覆到胺化的金基片表面，使其与胺化的金基片表面的氨基反应；再涂覆间苯二胺聚合反应溶液，使其与胺化的金基片表面已经存在的酰氯官能团发生聚合反应，生成聚酰胺，一个涂覆周期即完成；4)聚酰胺功能层生成：重复步骤3)所述涂覆周期，在胺化的金基片表面生成聚酰胺功能层，即获得结合有聚酰胺功能层的芯片；5)热处理：将步骤4)所得结合有聚酰胺功能层的芯片在真空环境中热处理，超纯水漂洗后氮气吹干，即获得聚酰胺石英晶体芯片。