| 发明名称 | 晶圆刻蚀的控制方法及晶圆制造方法 | ||
| 摘要 | 一种晶圆刻蚀的控制方法及晶圆制造方法，其中晶圆刻蚀的控制方法包括：提供金属栅极的目标厚度参数；获取预测模型，预测模型的输入参数包括金属栅极顶部表面若干个点对应的金属栅极厚度参数，预测模型的输出参数包括刻蚀伪栅时静电卡盘上若干点的温度参数，其中，每一金属栅极厚度参数与一温度参数一一对应；采集前一晶圆中金属栅极顶部表面若干点对应的金属栅极实际厚度参数；获取前一晶圆中金属栅极顶部表面各点对应的金属栅极实际厚度参数与目标厚度参数之差为第一差值；基于所述第一差值和所述预测模型，采用先进制程控制技术，优化刻蚀去除后一晶圆中伪栅的刻蚀过程中静电卡盘上各点的温度参数。本发明提高晶圆生产的可靠性和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106444365A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201510493268.8 | 申请日期 | 2015.08.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;纪世良 |
| 分类号 | G05B13/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | G05B13/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;吴敏 |
| 主权项 | 一种晶圆刻蚀的控制方法，其特征在于，包括：提供金属栅极的目标厚度参数；获取预测模型，所述预测模型的输入参数包括金属栅极顶部表面若干个点对应的金属栅极厚度参数，所述预测模型的输出参数包括刻蚀去除晶圆中伪栅时静电卡盘上若干点的温度参数，其中，每一金属栅极厚度参数与一温度参数一一对应；采集前一晶圆中金属栅极顶部表面若干点对应的金属栅极实际厚度参数；获取前一晶圆中金属栅极顶部表面各点对应的金属栅极实际厚度参数与目标厚度参数之差为第一差值；基于所述第一差值和所述预测模型，采用先进制程控制技术，优化刻蚀去除后一晶圆中伪栅时静电卡盘上各点的温度参数。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||