| 发明名称 | 电路和封装电子器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及电路以及封装电子器件。所述电路包括：第一晶体管，第一晶体管包括源极和漏极；双向HEMT，双向HEMT包括漏极/源极和源极/漏极；第二晶体管，第二晶体管包括源极和漏极；第一二极管，第一二极管具有阳极和阴极；以及第二二极管，第二二极管具有阳极和阴极。第一晶体管的漏极耦接到双向HEMT晶体管的漏极/源极；双向HEMT晶体管的源极/漏极耦接到第三晶体管的漏极；第一二极管的阴极耦接到第一晶体管的源极；第一二极管的阳极耦接到第二二极管的阳极；并且第二二极管的阴极耦接到第三晶体管的源极。根据本公开，可以提供改进的电路和封装电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN205986805U | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201620384802.1 | 申请日期 | 2016.04.29 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼;刘春利;P·莫恩斯 |
| 分类号 | H03K17/687(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/687(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种电路，其特征在于，所述电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括漏极/源极和源极/漏极；双向HEMT，所述双向HEMT包括漏极/源极和源极/漏极；第二晶体管，所述第二晶体管包括漏极/源极和源极/漏极；第一二极管，所述第一二极管具有阳极和阴极；以及第二二极管，所述第二二极管具有阳极和阴极，其中：所述第一晶体管的所述源极/漏极耦接到所述双向HEMT晶体管的所述漏极/源极；所述双向HEMT晶体管的所述源极/漏极耦接到所述第二晶体管的所述漏极/源极；所述第一二极管的所述阴极耦接到所述第一晶体管的所述漏极/源极；所述第一二极管的所述阳极耦接到所述第二二极管的所述阳极；并且所述第二二极管的所述阴极耦接到所述第二晶体管的所述源极/漏极。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||