发明名称 发光装置
摘要 公开一种发光装置。发光装置包括:相互隔开配置的第1引线及第2引线;包括基底、反射器及空腔的主体部;及配置于空腔内的发光二极管,第1引线包括下部第1引线及位于下部第1引线上的上部第1引线,第2引线包括下部第2引线及位于下部第2引线上的上部第2引线,上部第1引线和上部第2引线的隔开区域的形态,不同于下部第1引线和下部第2引线的隔开区域的形态,上部第1引线和上部第2引线的隔开区域具有至少一次以上的弯曲的形态。
申请公布号 CN106463598A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201580032393.7 申请日期 2015.04.20
申请人 首尔半导体株式会社 发明人 李泰昌
分类号 H01L33/62(2006.01)I 主分类号 H01L33/62(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 刘灿强;尹淑梅
主权项 一种发光装置,其中,包括:相互隔开配置的第1引线及第2引线;主体部,其包括基底、反射器及空腔,所述基底至少部分地包围所述第1及第2引线的侧面,填充所述第1及第2引线的隔开区域,所述反射器位于所述基底上,所述空腔被所述反射器环绕,且上部形成开口;及配置于所述空腔内的发光二极管,所述第1引线包括下部第1引线及位于所述下部第1引线上的上部第1引线,所述第2引线包括下部第2引线及位于所述下部第2引线上的上部第2引线,所述上部第1引线和所述上部第2引线的隔开区域的形态不同于所述下部第1引线和所述下部第2引线的隔开区域的形态,所述上部第1引线和所述上部第2引线的隔开区域具有至少一次以上的弯曲的形态。
地址 韩国京畿道安山市