发明名称 |
含有具有苯基生色团的硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
摘要 |
本发明提供使用对KrF光也具有吸收的水解性硅烷的水解缩合物、用于形成能够作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物,该水解性硅烷含有式(1)所示的水解性硅烷,该硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7摩尔%以上,本发明还是将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并烧成而得到的抗蚀剂下层膜。式(1)中,R<sup>1</sup>表示式(2)所示的有机基团,并且R<sup>1</sup>通过Si‑C键与硅原子结合,R<sup>3</sup>表示烷氧基、酰氧基或卤素基,a表示整数1,b表示0~2的整数,a+b表示1~3的整数。<img file="DDA0001180037150000011.GIF" wi="1117" he="242" /> |
申请公布号 |
CN106462075A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201580031938.2 |
申请日期 |
2015.06.16 |
申请人 |
日产化学工业株式会社 |
发明人 |
中岛诚;柴山亘;武田谕;高濑显司 |
分类号 |
G03F7/11(2006.01)I;C08G77/28(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/11(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
李照明;段承恩 |
主权项 |
一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物,该水解性硅烷含有式(1)所示的水解性硅烷,该硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7摩尔%以上,R<sup>1</sup><sub>a</sub>R<sup>2</sup><sub>b</sub>Si(R<sup>3</sup>)<sub>4‑(a+b)</sub> 式(1)式(1)中,R<sup>1</sup>表示式(2)所示的有机基团,并且R<sup>1</sup>通过Si‑C键与硅原子结合,<img file="FDA0001180037120000011.GIF" wi="1087" he="302" />式(2)中,X和Y分别表示氧原子或硫原子,但X和Y不同时表示同一种原子,R<sup>6</sup>表示可被取代的碳原子数1~10的烷基,R<sup>4</sup>表示可被取代的碳原子数1~10的亚烷基,R<sup>5</sup>表示可被取代的碳原子数1~10的烷基,n表示0~4的整数,R<sup>2</sup>表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团,并且R<sup>2</sup>通过Si‑C键与硅原子结合,R<sup>3</sup>表示烷氧基、酰氧基或卤素基,a表示整数1,b表示0~2的整数,a+b表示1~3的整数。 |
地址 |
日本东京都 |