| 摘要 |
インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）からなるＩＧＺＯ焼結体スパッタリングターゲットであって、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎが０．５７５≧Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≧０．５００であり、かつＺｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．３３３の組成範囲であり、(ＩｎｘＧａ（１−ｘ））２ＺｎＯ４（１＞ｘ＞０）相からなる単一相の組織を有する、又は、(ＩｎｘＧａ（１−ｘ））２ＺｎＯ４（１＞ｘ＞０）相とＩｎ２O３相からなる二相構造の組織を有し、当該Ｉｎ２O３相の最大径が１０μｍ以下である、ことを特徴とするスパッタリングターゲット。スパッタリング用ターゲットの低バルク抵抗化及びキャリア濃度を一定の範囲以下とし、かつターゲットの高密度化を達成し、アーキングの発生を最小限に押さえ、ＤＣスパッタリングが可能であるＩＧＺＯターゲット技術を提供する。 |
