一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法。其结构自下而上依次为InAs层、GaAs层、GaAs_xSb_1‑x层和GaAs层。其特点在于：(1)原有的GaSb衬底被InAs衬底替代，使得超晶格生长温度大幅度提高，生长温度的提高有利于表面原子扩散长度的增加，因此更有利于材料的二维生长和材料缺陷密度的降低；(2)As阀在整个II类超晶格生长过程中一直处于打开状态，使得在生长GaSb层时由于部分As的流出而形成了GaAsSb三元化合物；由于各层中都有共同元素As存在，使得各层的生长温度趋于一致，并使得界面处的互扩散减少；(3)InAs层厚度的变化对InAs基II类超晶格的失配影响较小，极大地降低了长波、尤其是甚长波材料的生长难度，更易于提高材料的性能和质量。

主权项

一种砷化铟基II类超晶格结构，其结构自下而上依次为InAs层(1)、GaAs层(2)、GaAs_xSb_1‑x层(3)和GaAs层(4)，其特征在于：所述的InAs层(1)的厚度为2.1nm‑10.5nm；所述的GaAs层(2)的厚度为0.0nm‑0.15nm；所述的GaAs_xSb_1‑x层(3)的厚度为2.1nm‑3.6nm，组分x为0.01‑0.09；所述的GaAs层(4)的厚度为0.0nm‑0.15nm。