发明名称 |
纵耦合谐振器型声表面波滤波器 |
摘要 |
得到一种能够使瑞利波寄生的电平较小的纵耦合谐振器型声表面波滤波器。在纵耦合谐振器型声表面波滤波器(1)中,在所传播的体波声速比压电膜(5)中传播的弹性波的声速高的高声速部件上,层叠低声速膜(4)以及压电膜(5)。在压电膜(5)的一面形成多个IDT电极(6~10)。利用SH波,在多个IDT电极(6~10)之中的至少一个IDT电极,遍及该IDT电极(6~10)的弹性波传播方向全长调整占空比,以使得抑制瑞利波寄生。 |
申请公布号 |
CN106416067A |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201580027374.5 |
申请日期 |
2015.06.15 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
高峰裕一 |
分类号 |
H03H9/64(2006.01)I;H03H9/145(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/64(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
李逸雪 |
主权项 |
一种纵耦合谐振器型声表面波滤波器,具有压电膜,其中,所述纵耦合谐振器型声表面波滤波器具备:高声速部件,所传播的体波声速高于所述压电膜中传播的弹性波的声速;低声速膜,层叠在所述高声速部件上,所传播的体波声速低于所述压电膜中传播的体波的声速;所述压电膜,层叠在所述低声速膜上;和多个IDT电极,形成于所述压电膜的一面,用于构成所述纵耦合谐振器型声表面波滤波器,该纵耦合谐振器型声表面波滤波器利用SH波,在所述多个IDT电极之中的至少一个IDT电极中,遍及该IDT电极的弹性波传播方向全长调整占空比,使得抑制瑞利波寄生。 |
地址 |
日本京都府 |