发明名称 |
一种宽带低噪声放大器 |
摘要 |
本发明提供一种宽带低噪声放大器,包括与所述宽带低噪声放大器的信号输入端相连的电调电路,所述电调电路包括:第一晶体管,所述第一晶体管的输出端与所述宽带低噪声放大器的信号输入端相连,所述第一晶体管的输入端和控制端相连,并接收控制电压。本发明提供的宽带低噪声放大器中所述电调电路与所述宽带低噪声放大器的信号输入端相连,通过改变电调电路接收的控制电压的大小,调节所述宽带低噪声放大器的输入匹配电路和控制所述低噪声放大器的输入阻抗,从而降低宽带低噪声放大器的噪声系数,增大低噪声放大器的增益,达到宽带低噪声放大器在电路制作完成后仍可调节的效果。 |
申请公布号 |
CN103944518B |
申请公布日期 |
2017.02.08 |
申请号 |
CN201310023713.5 |
申请日期 |
2013.01.22 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
牟鹏飞;杨洪文;阎跃鹏 |
分类号 |
H03F1/26(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王宝筠 |
主权项 |
一种宽带低噪声放大器,其特征在于,包括与所述宽带低噪声放大器的信号输入端相连的电调电路,所述电调电路包括:第一晶体管,所述第一晶体管的输出端与所述宽带低噪声放大器的信号输入端相连,所述第一晶体管的输入端和控制端相连,并接收控制电压,通过调节电调电路接收的控制电压改变宽带低噪声放大器的输入阻抗。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |