发明名称 OLED显示器及其制作方法
摘要 本发明提供一种OLED显示器及其制作方法。本发明的OLED显示器,包括OLED基板、及设于所述OLED基板上的薄膜封装层;其中,所述薄膜封装层包括图案化的高导热层,该高导热层上设有数个与所述OLED基板上的数个子像素区域一一对应的开口,不但避免了高导热层对光的吸收,而且避免了顶发射器件仅能够使用具有高透过率材料的限制,从而在不降低器件出光效率的同时,能够有效转移OLED器件在工作时产生的热量,降低OLED器件材料的热分解,并保证器件具有足够的阻隔外界水氧的能力,提高器件寿命。
申请公布号 CN106384743A 申请公布日期 2017.02.08
申请号 CN201610914584.2 申请日期 2016.10.20
申请人 武汉华星光电技术有限公司 发明人 金江江
分类号 H01L27/32(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 H01L27/32(2006.01)I
代理机构 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人 林才桂
主权项 一种OLED显示器,其特征在于,包括OLED基板(101)、及设于所述OLED基板(101)上的薄膜封装层;所述薄膜封装层包括设于所述OLED基板(101)上的第一无机钝化层(201)、设于所述第一无机钝化层(201)上的高导热层(301)、设于所述第一无机钝化层(201)、及高导热层(301)上的第一有机缓冲层(401)、及设于第一有机缓冲层(401)上的第二无机钝化层(202);所述OLED基板(101)包括数个阵列排布的像素单元,每一像素单元具有数个阵列排布的子像素区域;所述高导热层(301)上设有数个与所述数个像素单元的数个子像素区域一一对应的开口(3011),所述第一有机缓冲层(401)完全填充所述高导热层(301)上的数个开口(3011)。
地址 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
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