| 摘要 |
本発明は、ａ） 電流を直接流すことによって、支持体に多結晶シリコンが堆積される温度まで加熱される少なくとも１つのＵ字型支持体上に、ＣＶＤにより多結晶シリコンを堆積させ、少なくとも１つのＵ字型の対の多結晶シリコン棒を形成させ、支持体の各自由端は黒鉛電極に接続され、このように電力が供給されること、ｂ） 反応器から少なくとも１対の多結晶シリコン棒を取り外すこと、ｃ） 少なくとも１対の多結晶シリコン棒の少なくとも２つの多結晶シリコン棒の電極端から黒鉛残留物を除去すること、ｄ） 少なくとも２つの多結晶シリコン棒を粉砕して、棒片を得る、またはチャンクを得ること、を含み、少なくとも１回の機械的衝撃によって、少なくとも２つの多結晶シリコン棒の各々の電極端から黒鉛残留物をはらい落すことを含む多結晶シリコンの製造方法を提供する。 |
