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Integrierte Schaltung, mit: einer nicht-planaren Struktur (50; 114; 164; 222; 362), die eine Fotodiode mit einem Anodengebiet (36; 106; 156; 206; 316) auf einer Seite eines Photonendetektionsgebiets (70; 350) und einem Kathodengebiet (38; 108; 158; 208; 318) auf der anderen Seite des Photonendetektionsgebiets (70; 350) aufweist, einem Wellenleiter (52; 116; 166; 220; 314), der elektromagnetische Wellen zu dem Photonendetektionsgebiet (70; 350) liefert, wobei die nicht-planare Struktur (50; 114; 164; 222; 362) ein erstes Signal in Abhängigkeit von mindestens einigen der elektromagnetischen Wellen liefert, dadurch gekennzeichnet, dass die nicht-planare Struktur (50; 114; 164; 222; 362) eine erste Stegstruktur ist und der Wellenleiter (52; 116; 166; 220; 314) die erste Stegstruktur (50; 114; 164; 222; 362) kreuzt. |
