炭化珪素膜の成膜装置のクリーニング方法

摘要

【課題】チャンバ内の部材等に被覆されたＴａＣコートを保護しつつその上に形成されたＳｉＣ堆積物を選択的に除去できる炭化珪素膜の成膜装置のクリーニング方法を提供することである。【解決手段】本発明の炭化珪素膜の成膜装置のクリーニング方法は、チャンバ内にハロゲン化水素ガスを導入する第１工程と、第１工程後に、酸素ガスをチャンバ内に導入する第２工程と、を有する。【選択図】図１