发明名称 パワーデバイスモジュール基板とその製造方法
摘要 【課題】高耐熱性と高放熱性を実現し、コストパーフォマンスの優れたパワーデバイスモジュール基板とその製造方法を提供する。【解決手段】パワーデバイスモジュール基板は金属体1から形成した導体回路を含む金属構造体に絶縁樹脂5Aを充填してベースを形成し、さらに外層(表層)部として高耐熱性プライマー絶縁樹脂5Bをオーバーコートして2層構造とした基板である。これにより、従来の基板構造、構成を維持したまま、高耐熱性、ベース樹脂保護、表面酸化の抑制が可能となり、ベース絶縁樹脂の耐熱性をさらに高める。【選択図】図2
申请公布号 JP2017011248(A) 申请公布日期 2017.01.12
申请号 JP20150133082 申请日期 2015.06.16
申请人 板橋精機株式会社 发明人 佐野 博和
分类号 H01L23/12;H01L23/36;H05K1/02 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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