| 发明名称 |
置換シクロペンタジエニルコバルト錯体及びその製造方法、コバルト含有薄膜及びその作製方法 |
| 摘要 |
【課題】酸化性ガスを用いない条件下でコバルト含有薄膜を作製するのに有用なコバルト錯体の提供。【解決手段】式（１）で示されるシクロペンタジエニルコバルト錯体。（Ｒ１はトリアルキルシリルオキシ基；Ｒ２はＨ、Ｃ１〜６のアルキル基又はトリアルキルシリルオキシ基；Ｒ３〜Ｒ５はＨ又はＣ１〜６のアルキル基）【選択図】なし |
| 申请公布号 |
JP2017007975(A) |
申请公布日期 |
2017.01.12 |
| 申请号 |
JP20150124703 |
申请日期 |
2015.06.22 |
| 申请人 |
東ソー株式会社;公益財団法人相模中央化学研究所 |
发明人 |
小礒 尚之;山本 有紀;古川 泰志;多田 賢一 |
| 分类号 |
C07F19/00;C23C16/18;H01L21/285 |
主分类号 |
C07F19/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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