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어드밴스드 금속 패터닝을 갖는 고밀도 SRAM(static random access memory) 어레이에 관한 방법들 및 장치가 제공된다. 일 예에서, SRAM을 제조하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, SADP(self-aligning double patterning) 기술을 이용하여, 제 1 층에서 제 1 방향으로 배향되는 복수의 실질적으로 평행한 제 1 금속 라인들을 형성하는 단계를 포함한다. 방법은 또한, 실질적으로 평행한 제 1 금속 라인들을 제 1 방향으로 정렬되는 제 1 개별 면들 및 제 2 방향으로 정렬되는 제 2 개별 면들을 갖는 복수의 아일랜드들로 분리시키기 위해서, 컷트 마스크를 이용하여, 제 1 방향에 실질적으로 수직하는 제 2 방향으로, 실질적으로 평행한 제 1 금속 라인들을 에칭하는 단계를 포함한다. 방법은 또한, 제 2 층에서, 제 1 방향으로 배향된 복수의 제 2 금속 라인들을 형성하는 단계를 포함한다. |
