| 摘要 |
【課題】半導体シリコン結晶の不純物分析のための前処理において、より短時間でより多量の試料を気相分解によって全溶解させることができる前処理方法を提供する。【解決手段】半導体シリコン結晶中の不純物を分析する際の前処理において、閉塞容器内に、前記半導体シリコン結晶から採取した試料と、フッ化水素酸及び硝酸からなる混酸を入れた後、前記混酸を加熱することで混酸蒸気を発生させて前記試料全体を気相分解する方法であって、前記閉塞容器として圧力調整バルブが設けられたものを用い、前記閉塞容器内部の圧力が絶対圧で０．２０ＭＰａ以上０．４０ＭＰａ以下となるように、前記閉塞容器内部で発生した揮発性分解生成物及び混酸蒸気を前記圧力調整バルブから漏洩させながら気相分解を行う半導体シリコン結晶の不純物分析のための前処理方法。【選択図】図１ |
