| 摘要 |
본 발명은 평탄성을 확보하면서 결정성이 높은 반도체막을 갖는, SOI 기판의 제작 방법을 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 분리에 의하여 절연막 위에 단결정의 반도체막을 형성한 후, 상기 반도체막의 표면에 존재하는 자연 산화막을 제거하여 반도체막에 대해서 제 1 레이저 광의 조사 및 제 2 레이저 광의 조사를 불활성 가스 분위기하 또는 감압 분위기하에서 행한다. 제 1 레이저 광의 조사는, 반도체막의 임의(任意)의 1점에 있어서의 레이저 광의 숏(shot) 횟수를 7 이상, 더 바람직하게는 10 이상 100 이하로 하고, 제 2 레이저 광의 조사는, 반도체막의 임의의 1점에 있어서의 레이저 광의 숏 횟수를 0보다 많고 2 이하로 한다. |
