极紫外光刻的薄膜、光刻方法和制造半导体器件的方法

摘要

本申请涉及一种光刻方法、一种制造半导体器件的方法以及一种用于极紫外光刻的薄膜，该薄膜可以包括薄膜片、支撑结构和处理块。薄膜片可以具有指向掩模的第一表面和与第一表面相对的第二表面。薄膜片可容许穿过掩模的极紫外光穿透该薄膜片。支撑结构可布置在薄膜片的第二表面上以支撑该薄膜片。处理块可布置在薄膜片的第一表面上。处理块可以具有配置为暴露薄膜片的开口。因此，可使用较厚的处理块而不是较薄的薄膜片对薄膜进行处理，从而可以不破坏较薄的薄膜片。因而，薄膜可以保护掩模不会受到在极紫外光刻处理中产生的副产品的影响，使得掩模不会被污染。

主权项

一种光刻方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底之上提供掩模；形成薄膜结构，包括：提供具有平板形状的薄膜片，所述薄膜片包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，在所述薄膜片的第一表面上形成具有网格图案的支撑结构，在所述薄膜片的第二表面上形成处理结构，所述处理结构包括处理衬底，所述处理衬底具有形成为从其中贯穿的开口，以及通过执行切割操作从所述薄膜片去除所述处理结构；以及使用所述掩模和所述薄膜结构执行光刻处理，以在所述半导体衬底上形成图案。