| 发明名称 | 掺杂Ce的PZT系压电膜形成用组合物 | ||
| 摘要 | 本发明的掺杂Ce的PZT系压电膜形成用组合物含有PZT系前体、二醇及聚乙烯吡咯烷酮等，所述PZT系前体含有构成复合金属氧化物的各金属原子。组合物中的金属原子比Pb:Ce:Zr:Ti满足(1.00～1.28):(0.005～0.05):(0.40～0.55):(0.60～0.45)，且以Zr与Ti的金属原子比的合计比例成为1的比例含有PZT系前体。组合物100质量％中所占的PZT系前体的浓度以氧化物浓度计为17～35质量％，组合物100质量％中的二醇的比例为16～56质量％，聚乙烯吡咯烷酮等的比例相对于PZT系前体1摩尔，以单体换算为0.01～0.25摩尔。 | ||
| 申请公布号 | CN106133932A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201580015351.2 | 申请日期 | 2015.03.20 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 土井利浩;樱井英章;曽山信幸 |
| 分类号 | H01L41/187(2006.01)I;C01G25/00(2006.01)I;H01L41/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/187(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 朴圣洁;王珍仙 |
| 主权项 | 一种掺杂Ce的PZT系压电膜形成用组合物，其为用于形成由掺杂Ce的复合金属氧化物所构成的PZT系压电膜的组合物，所述掺杂Ce的PZT系压电膜形成用组合物含有PZT系前体和二醇，并含有聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇，所述PZT系前体含有构成所述复合金属氧化物的各金属原子，所述组合物中的金属原子比Pb:Ce:Zr:Ti满足1.00～1.28:0.005～0.05:0.40～0.55:0.60～0.45，且以所述Zr与所述Ti的金属原子比的合计比例成为1的比例含有所述PZT系前体，所述组合物100质量％中所占的所述PZT系前体的浓度以氧化物浓度计为17～35质量％，所述组合物100质量％中的所述二醇的比例为16～56质量％，所述聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于所述PZT系前体1摩尔，以单体换算为0.01～0.25摩尔。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||