集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构，该版图结构包括N+衬底、N外延层以及在N外延层上形成的P+区域，所述P+区域由若干个矩形p‑pillar构成并且相邻两个矩形p‑pillar之间设置有间距，所述间距的区域内势垒金属Ti在p‑pillar之间的N外延层形成肖特基接触，构成肖特基二极管；还公开了一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构的制作方法，通过本发明比传统的线性原胞设计的超结VDMOS体二极管正向压降更低，从而降低器件的开通损耗；本发明设计的超结VDMOS体二极管反向恢复电流峰值更小，使得体二极管的di/dt变小，从而减少器件的失效率。

主权项

一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构，其特征在于，该版图结构包括N+衬底、N外延层以及在N外延层上形成的P+区域，所述P+区域由若干个矩形p‑pillar构成并且相邻两个矩形p‑pillar之间设置有间距，所述间距的区域内势垒金属Ti在p‑pillar之间的N外延层形成肖特基接触，构成肖特基二极管。