| 发明名称 | 一种提高闪存低温数据存储特性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种提高闪存低温数据存储特性的方法，包括：第一步骤：在硅衬底上，利用N<sub>2</sub>O退火进行退火处理，生长一层掺氮氧化层；第二步骤：利用ISSG通入H<sub>2</sub>和O<sub>2</sub>，生长氧化层作为隧道氧化层，由此掺氮氧化层与隧道氧化层形成总氧化层；第三步骤：在总氧化层上生长多晶硅作为浮栅层；第四步骤：在浮栅层上生长ONO结构的多晶硅间电介质层，用于保证浮栅中电子的存储；第五步骤：在多晶硅间电介质层上形成控制栅多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN106129006A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610511071.7 | 申请日期 | 2016.06.30 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 申广耀;孙勤;江润峰;胡荣;高杏 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种提高闪存低温数据存储特性的方法，其特征在于包括：第一步骤：在硅衬底上，利用N<sub>2</sub>O退火进行退火处理，生长一层掺氮氧化层；第二步骤：利用ISSG通入H<sub>2</sub>和O<sub>2</sub>，生长氧化层作为隧道氧化层，由此掺氮氧化层与隧道氧化层形成总氧化层；第三步骤：在总氧化层上生长多晶硅作为浮栅层；第四步骤：在浮栅层上生长ONO结构的多晶硅间电介质层，用于保证浮栅中电子的存储；第五步骤：在多晶硅间电介质层上形成控制栅多晶硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||